图像仅供参考,请参阅规格书
FET类型:N 沟道
漏源电压(Vdss):40V
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):50mA @ 20V
不同Id时的电压-截止(VGS关):4V @ 1nA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):14pF @ 20V
电阻-RDS(开):30 欧姆
功率-最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs